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VND5E008ASPTR-E的图片

VND5E008ASPTR-E

内部开关MOSFET，电桥驱动器

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSO16

原厂封装：PowerSO-16

优势价格，VND5E008ASPTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

VND5E008ASPTR-E的技术资料下载

电话询问价格

VND5E008ASPTR-E的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：VND5E008ASPTR-E

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSO16

系列：VIPower?

类型：高端

输入类型：非反相

输出数：2

导通电阻：7.7 毫欧

电流 - 输出/通道：60A

电流 - 峰值输出：-

电压 - 电源：4.5 V ~ 28 V

工作温度：-40°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装

ST公司封装：16-PowerBSOP（0.370"，9.40mm 宽）

ST出厂封装：PowerSO-16

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配

VND5E004ATR-E

配

VND5E160J-E

微控制器

ST72F63BH2T1

微控制器

STM32F105VBH6

EMI/RFI滤波器

EMIF02-USB05C2

单路晶体管(BJT)

BD681

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