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VND10N06TR-E
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VND10N06TR-E技术资料
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VND10N06TR-E
配电开关,负载驱动器芯片
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK
原厂封装:
TO-252-3
优势价格,VND10N06TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
VND10N06TR-E的技术资料下载
VND10N06TR-E的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:VND10N06TR-E
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK
系列:OMNIFET?, VIPower?
开关类型:通用
输出数:1
比率 - 输入:输出:1:1
输出配置:低端
输出类型:N 通道
接口:开/关
电压 - 负载:-
电压 - 电源 (Vcc/Vdd):不需要
电流 - 输出(最大值):6A
Rds (On):150 毫欧
输入类型:非反相
特性:-
故障保护:限流(固定),超温,过压
工作温度:-
ST公司封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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