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    STW25NM60ND的图片

    STW25NM60ND

    ST图标
    单端场效应管
    制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)
    功能简述：MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
    原厂封装：TO-247-3
    优势价格，STW25NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STW25NM60ND的技术资料下载
    电话询问价格
    STW25NM60ND的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
  • ST意法半导体标准完整型号：STW25NM60ND
  • 制造厂家名称：STMicroelectronics
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
  • 系列：FDmesh? II
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 10.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2400pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：160W
  • 安装类型：通孔
  • ST公司封装：TO-247-3
  • ST出厂封装：TO-247-3
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