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STS9D8NH3LL
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STS9D8NH3LL技术资料
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STS9D8NH3LL
场效应管阵列
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
原厂封装:
8-SO
优势价格,STS9D8NH3LL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS9D8NH3LL的技术资料下载
STS9D8NH3LL的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STS9D8NH3LL
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
系列:STripFET?
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A,9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):22 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):857pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
ST公司封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ST出厂封装:8-SO
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