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STS6P3LLH6
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STS6P3LLH6技术资料
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STS6P3LLH6
FET - 单
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，STS6P3LLH6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS6P3LLH6的技术资料下载
STS6P3LLH6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号: STS6P3LLH6
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
系列: DeepGATE，STripFET VI
FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 30 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1450pF @ 24V
功率 - 最大值: 2.7W
安装类型: 表面贴装
ST公司封装: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
ST出厂封装: 8-SO
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