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STS4C3F60L
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STS4C3F60L技术资料
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STS4C3F60L
场效应管阵列
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
原厂封装：
8-SO
优势价格，STS4C3F60L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS4C3F60L的技术资料下载
STS4C3F60L的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STS4C3F60L
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
系列：STripFET?
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A，3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1030pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
ST出厂封装：8-SO
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