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STS3P6F6的图片

STS3P6F6

单端场效应管

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

原厂封装：8-SO

优势价格，STS3P6F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STS3P6F6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STS3P6F6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 48V

功率 - 最大值：2.7W

安装类型：表面贴装

ST公司封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

ST出厂封装：8-SO

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