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STS2DPFS20V
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STS2DPFS20V技术资料
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STS2DPFS20V
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
原厂封装：
8-SO
优势价格，STS2DPFS20V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS2DPFS20V的技术资料下载
STS2DPFS20V的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STS2DPFS20V
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
系列：STripFET? II
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：315pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
ST出厂封装：8-SO
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