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STP9NK60ZD
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STP9NK60ZD技术资料
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STP9NK60ZD
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
原厂封装:
TO-220AB
优势价格,STP9NK60ZD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP9NK60ZD的技术资料下载
STP9NK60ZD的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STP9NK60ZD
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
系列:SuperFREDmesh
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):950 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1110pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔
ST公司封装:TO-220-3
ST出厂封装:TO-220AB
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