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STP4N150
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STP4N150技术资料
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STP4N150
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
原厂封装:
TO-220AB
优势价格,STP4N150的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP4N150的技术资料下载
STP4N150的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STP4N150
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
系列:PowerMESH?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1500V(1.5kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:160W
安装类型:通孔
ST公司封装:TO-220-3
ST出厂封装:TO-220AB
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