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STP25N60M2-EP的图片

STP25N60M2-EP

FET - 单

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

原厂封装：TO-220-3

优势价格，STP25N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STP25N60M2-EP的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号: STP25N60M2-EP

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

系列: MDmesh M2

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 18A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 188 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1090pF @ 100V

功率 - 最大值: 150W

安装类型: 通孔

ST公司封装: TO-220-3

ST出厂封装: TO-220AB

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