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STP12NK30Z
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STP12NK30Z技术资料
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STP12NK30Z
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
原厂封装:
TO-220AB
优势价格,STP12NK30Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP12NK30Z的技术资料下载
STP12NK30Z的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STP12NK30Z
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
系列:SuperMESH?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):670pF @ 25V
功率 - 最大值:90W
安装类型:通孔
ST公司封装:TO-220-3
ST出厂封装:TO-220AB
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