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STP110N10F7
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STP110N10F7技术资料
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STP110N10F7
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
原厂封装:
TO-220
优势价格,STP110N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP110N10F7的技术资料下载
STP110N10F7的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STP110N10F7
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N CH 100V 110A TO-220
系列:DeepGATE, STripFET VII
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):110A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 55A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5500pF @ 50V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔
ST公司封装:TO-220-3
ST出厂封装:TO-220
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