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STP100N8F6
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STP100N8F6技术资料
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STP100N8F6
FET - 单
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,STP100N8F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP100N8F6的技术资料下载
STP100N8F6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号: STP100N8F6
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
系列: STripFET F6
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5955pF @ 25V
功率 - 最大值: 176W
安装类型: 通孔
ST公司封装: TO-220-3
ST出厂封装: TO-220
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