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STL8N10F7的图片

STL8N10F7

单端场效应管

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT

原厂封装：PowerFlat

优势价格，STL8N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STL8N10F7的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STL8N10F7

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT

系列：DeepGATE， STripFET VII

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 毫欧 @ 4A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 50V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

ST公司封装：8-PowerVDFN

ST出厂封装：PowerFlat（3.3x3.3）

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