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STL80N75F6
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STL80N75F6技术资料
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STL80N75F6
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
原厂封装：
PowerFlat
优势价格，STL80N75F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STL80N75F6的技术资料下载
STL80N75F6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STL80N75F6
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
系列：DeepGATE， STripFET VI
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.3 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7120pF @ 25V
功率 - 最大值：80W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：8-PowerVDFN
ST出厂封装：PowerFlat（5x6）
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