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STL13DP10F6的图片

STL13DP10F6

场效应管阵列

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：MOSFET P-CH 100V 3.3A PWRFLAT56

原厂封装：PowerFlat

优势价格，STL13DP10F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STL13DP10F6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STL13DP10F6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET P-CH 100V 3.3A PWRFLAT56

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.7A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：864pF @ 25V

功率 - 最大值：62.5W

安装类型：表面贴装

ST公司封装：8-PowerVDFN

ST出厂封装：PowerFlat（5x6）

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