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STL120N2VH5
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STL120N2VH5技术资料
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STL120N2VH5
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56
原厂封装:
PowerFlat
优势价格,STL120N2VH5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STL120N2VH5的技术资料下载
STL120N2VH5的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STL120N2VH5
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56
系列:STripFET? V
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 毫欧 @ 14A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4660pF @ 15V
功率 - 最大值:80W
安装类型:表面贴装
ST公司封装:8-PowerVDFN
ST出厂封装:PowerFlat(5x6)
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