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STI11NM60ND
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STI11NM60ND技术资料
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STI11NM60ND
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
原厂封装:
I2PAK
优势价格,STI11NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STI11NM60ND的技术资料下载
STI11NM60ND的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STI11NM60ND
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
系列:FDmesh? II
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 50V
功率 - 最大值:90W
安装类型:通孔
ST公司封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
ST出厂封装:I2PAK
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