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STH260N6F6-6
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STH260N6F6-6价格
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STH260N6F6-6技术资料
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STH260N6F6-6
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
原厂封装：
H2PAK
优势价格，STH260N6F6-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STH260N6F6-6的技术资料下载
STH260N6F6-6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STH260N6F6-6
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
系列：DeepGATE， STripFET VI
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 60A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：183nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11800pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）
ST出厂封装：H2PAK
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