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STH110N10F7-2
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STH110N10F7-2价格
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STH110N10F7-2技术资料
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STH110N10F7-2
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
原厂封装：
H2PAK
优势价格，STH110N10F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STH110N10F7-2的技术资料下载
STH110N10F7-2的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STH110N10F7-2
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
系列：DeepGATE， STripFET VII
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：110A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 55A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5117pF @ 50V
功率 - 最大值：150W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：2-SMD
ST出厂封装：H2PAK
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