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STGWT80V60DF
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STGWT80V60DF技术资料
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STGWT80V60DF
单路IGBT
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
IGBT 600V 120A 469W TO-3P
原厂封装:
TO-3P
优势价格,STGWT80V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGWT80V60DF的技术资料下载
STGWT80V60DF的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STGWT80V60DF
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120A
Current - Collector Pulsed (Icm):240A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.3V @ 15V,80A
功率 - 最大值:469W
Switching Energy:1.8mJ (开), 1mJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:448nC
25°C 时 Td(开/关)值:60ns/220ns
Test Condition:400V, 80A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):60ns
ST公司封装:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
ST出厂封装:TO-3P
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