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STGWT60H65DFB的图片

STGWT60H65DFB

单路IGBT

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

原厂封装：TO-3P

优势价格，STGWT60H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGWT60H65DFB的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STGWT60H65DFB

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A

Current - Collector Pulsed (Icm)：240A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，60A

功率 - 最大值：375W

Switching Energy：1.09mJ （开）， 626μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：306nC

25°C 时 Td（开/关）值：51ns/160ns

Test Condition：400V, 60A, 5 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：60ns

ST公司封装：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

ST出厂封装：TO-3P

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