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STGWA15M120DF3的图片

STGWA15M120DF3

单路IGBT

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：IGBT 1200V 30A 259W

原厂封装：TO-247-3

优势价格，STGWA15M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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电话询问价格

STGWA15M120DF3的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STGWA15M120DF3

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 30A 259W

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：60A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，15A

功率 - 最大值：259W

Switching Energy：550μJ（开），850μJ（关）

输入类型：标准

Gate Charge：53nC

25°C 时 Td（开/关）值：26ns/122ns

Test Condition：600V， 15A， 22 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：270ns

ST公司封装：TO-247-3

安装类型：表面贴装

ST出厂封装：TO-247-3

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