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STGW60H65DRF
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STGW60H65DRF技术资料
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STGW60H65DRF
单路IGBT
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
IGBT 650V 120A 420W TO247
原厂封装：
TO-247
优势价格，STGW60H65DRF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGW60H65DRF的技术资料下载
STGW60H65DRF的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STGW60H65DRF
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：IGBT 650V 120A 420W TO247
系列：-
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120A
Current - Collector Pulsed (Icm)：240A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，60A
功率 - 最大值：420W
Switching Energy：940μJ （开）， 1.06mJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：217nC
25°C 时 Td（开/关）值：85ns/178ns
Test Condition：400V, 60A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：19ns
ST公司封装：TO-247-3
安装类型：通孔
ST出厂封装：TO-247
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