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STGW60H65DF的图片

STGW60H65DF

ST图标
单路IGBT
制造厂商:意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:IGBT 650V 120A 360W TO247
原厂封装:TO-247
优势价格,STGW60H65DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGW60H65DF的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
  • ST意法半导体标准完整型号:STGW60H65DF
  • 制造厂家名称:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 650V 120A 360W TO247
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):240A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 15V,60A
  • 功率 - 最大值:360W
  • Switching Energy:1.5mJ (开), 1.1mJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:206nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:67ns/165ns
  • Test Condition:400V, 60A, 10 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):62ns
  • ST公司封装:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • ST出厂封装:TO-247
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