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STGW35NB60SD的图片

STGW35NB60SD

单路IGBT

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：IGBT 600V 70A 200W TO247

原厂封装：TO-247-3

优势价格，STGW35NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGW35NB60SD的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STGW35NB60SD

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 70A 200W TO247

系列：PowerMESH?

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：70A

Current - Collector Pulsed (Icm)：250A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.7V @ 15V，20A

功率 - 最大值：200W

Switching Energy：840μJ （开）， 7.4mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：83nC

25°C 时 Td（开/关）值：92ns/1.1μs

Test Condition：480V, 20A, 100 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：44ns

ST公司封装：TO-247-3

安装类型：通孔

ST出厂封装：TO-247-3

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