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STGP30M65DF2
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STGP30M65DF2技术资料
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STGP30M65DF2
IGBT - 单路
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
IGBT 650V 30A TO-220AB
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,STGP30M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGP30M65DF2的技术资料下载
STGP30M65DF2的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号: STGP30M65DF2
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: IGBT 650V 30A TO-220AB
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 258W
开关能量: 300μJ(开),960μJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 80nC
25°C 时 Td(开/关)值: 31.6ns/115ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 140ns
ST公司封装: TO-220-3
安装类型: 通孔
ST出厂封装: TO-220
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