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STFI260N6F6
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STFI260N6F6技术资料
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STFI260N6F6
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
原厂封装:
I2PAKFP
优势价格,STFI260N6F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STFI260N6F6的技术资料下载
STFI260N6F6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STFI260N6F6
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
系列:DeepGATE, STripFET VI
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):183nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11400pF @ 25V
功率 - 最大值:41.7W
安装类型:通孔
ST公司封装:TO-262-3 整包, I2Pak
ST出厂封装:I2PAKFP (281)
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