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STD6NM60N-1
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STD6NM60N-1技术资料
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STD6NM60N-1
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
原厂封装：
I-Pak
优势价格，STD6NM60N-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STD6NM60N-1的技术资料下载
STD6NM60N-1的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STD6NM60N-1
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
系列：MDmesh II
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.6A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：920 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：420pF @ 50V
功率 - 最大值：45W
安装类型：通孔
ST公司封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
ST出厂封装：I-Pak
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