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STD6N65M2的图片

STD6N65M2

单端场效应管

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

原厂封装：DPAK

优势价格，STD6N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STD6N65M2的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STD6N65M2

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

系列：MDmesh?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.35 欧姆 @ 2A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：226pF @ 100V

功率 - 最大值：60W

安装类型：表面贴装

ST公司封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

ST出厂封装：DPAK

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