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STD60N55F3
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STD60N55F3技术资料
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STD60N55F3
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
原厂封装:
D-Pak
优势价格,STD60N55F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STD60N55F3的技术资料下载
STD60N55F3的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STD60N55F3
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
系列:STripFET? III
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装
ST公司封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
ST出厂封装:D-Pak
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