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STD155N3H6的图片

STD155N3H6

单端场效应管

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

原厂封装：D-Pak

优势价格，STD155N3H6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STD155N3H6的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STD155N3H6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：62nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3650pF @ 25V

功率 - 最大值：110W

安装类型：表面贴装

ST公司封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

ST出厂封装：D-Pak

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