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STB8NM60T4
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STB8NM60T4技术资料
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STB8NM60T4
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,STB8NM60T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STB8NM60T4的技术资料下载
STB8NM60T4的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STB8NM60T4
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
系列:MDmesh?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装
ST公司封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
ST出厂封装:D2PAK
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