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STB6N65K3
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STB6N65K3技术资料
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STB6N65K3
单端场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 650V D2PAK
原厂封装:
原厂封装
优势价格,STB6N65K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STB6N65K3的技术资料下载
STB6N65K3的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STB6N65K3
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V D2PAK
系列:-
FET 类型:-
FET 功能:-
漏源极电压 (Vdss):-
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:-
ST公司封装:-
ST出厂封装:-
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