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STB25NM60ND
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STB25NM60ND技术资料
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STB25NM60ND
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
原厂封装：
D2PAK
优势价格，STB25NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STB25NM60ND的技术资料下载
STB25NM60ND的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STB25NM60ND
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
系列：FDmesh? II
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2400pF @ 50V
功率 - 最大值：160W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
ST出厂封装：D2PAK
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