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LET20030C
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LET20030C技术资料
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LET20030C
RF场效应管
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSF RF PWR N CH 80V LDMOST M243
原厂封装:
M243
优势价格,LET20030C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
LET20030C的技术资料下载
LET20030C的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:LET20030C
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSF RF PWR N CH 80V LDMOST M243
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:2GHz
增益:13.9dB
电压 - 测试:28V
额定电流:9A
噪声系数:13.9dB @ 2GHz
电流 - 测试:400mA
功率 - 输出:45W
电压 - 额定:80V
ST公司封装:M243
ST出厂封装:M243
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