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BU808DFI
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BU808DFI
单路晶体管(BJT)
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
原厂封装:
ISOWATT-218
优势价格,BU808DFI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BU808DFI的技术资料下载
BU808DFI的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:BU808DFI
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
系列:-
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
电压 - 集射极击穿(最大值):700V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值):400μA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5A,5V
功率 - 最大值:52W
频率 - 跃迁:-
安装类型:通孔
ST公司封装:ISOWATT-218-3
ST出厂封装:ISOWATT-218
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